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分立半导体

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NVMFS5C404NWFAFT3G

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数量单价合计
5,000
¥11.0627
55313.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
378 A
Rds On-漏源导通电阻
570 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
128 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
200 W, 3.9 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
210 S
下降时间
109 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
113 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
77 ns
典型接通延迟时间
16 ns
商品其它信息
优势价格,NVMFS5C404NWFAFT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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