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分立半导体
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SH8J62TB1

  • ROHM Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET Pch+Pch -30V -4.5A MOSFET
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8.6784
10
¥7.3789
73.789
100
¥5.6726
567.26
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2,500
¥3.5143
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-8
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
60 mOhms
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
3.5 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
单位重量
851 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-16TTS08STRL-M3
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