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分立半导体
DMN62D0LFD-7参考图片

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DMN62D0LFD-7

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 20Vgss
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X1-DFN1212-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
310 mA
Rds On-漏源导通电阻
2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
500 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
480 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN62D0LFD
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
1.8 S
下降时间
8.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.1 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
2.6 ns
商品其它信息
优势价格,DMN62D0LFD-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET INTELLIFET MOSFET 60V N CHAN
1:¥9.0626
10:¥7.684
100:¥5.9551
500:¥5.2658
1,000:¥4.1471
参考库存:12912
分立半导体
双向可控硅 4.0 Amp 600 Volt
1:¥8.7575
10:¥7.4693
100:¥5.7404
500:¥5.0737
参考库存:15864
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V Vr 6A Io SBD TO-252(DPAK) 3A IF
1:¥6.6105
10:¥5.7065
100:¥4.3844
500:¥3.8759
1,000:¥3.0623
2,500:¥2.712
参考库存:29966
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1200V power Schottky silicon-carbide diode
1:¥79.6876
10:¥72.0036
25:¥68.6136
100:¥59.6301
参考库存:29868
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥568.6951
5:¥551.4061
10:¥534.1962
25:¥510.0594
参考库存:5220
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