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分立半导体
IRFR3910TRPBF参考图片

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IRFR3910TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 115mOhms 29.3nC
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数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.65
56.5
100
¥4.3392
433.92
500
¥3.8307
1915.35
1,000
¥3.0284
3028.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
115 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
29.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
6.4 ns
零件号别名
SP001560674
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IRFR3910TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
GBPC1510M T0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 15A, 1000V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON
1:¥27.5833
10:¥23.6622
100:¥18.5207
200:¥16.5997
参考库存:43922
GBPC25005M T0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 25A, 50V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON
1:¥27.5833
10:¥23.6622
100:¥18.5207
200:¥16.5997
参考库存:43927
ES1AL R3G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A, 50V, SUPER FAST SM RECTIFIER
1:¥5.3788
10:¥4.9155
100:¥3.1979
1,000:¥1.06785
1,800:¥0.88366
参考库存:43932
CZRB5383B-HF
Comchip Technology
分立半导体
稳压二极管 ZENER 5W 150V SMB HALOGEN-FREE
1:¥5.3788
10:¥4.0002
100:¥2.7233
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.6046
参考库存:43937
SFS1005GHRNG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 10A, 300V, 35NS, DUAL RECTIFIER
1:¥8.5315
10:¥7.8422
100:¥6.0342
500:¥4.4748
800:¥3.3109
参考库存:43942
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