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分立半导体
IKZ75N65EL5XKSA1参考图片

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IKZ75N65EL5XKSA1

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数量单价合计
1
¥70.5346
70.5346
10
¥63.7772
637.772
25
¥60.7827
1519.5675
100
¥52.7936
5279.36
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-4
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
536 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 L5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKZ75N65EL5 SP001174456
商品其它信息
优势价格,IKZ75N65EL5XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 200mW
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.2147
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12,800:¥0.99101
25,600:¥0.90626
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6:¥1,063.0814
12:¥1,013.5196
30:¥992.2304
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