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分立半导体
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TPS1100PWR

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数量单价合计
1
¥11.6842
11.6842
10
¥9.9892
99.892
100
¥7.6388
763.88
500
¥6.7461
3373.05
2,000
¥4.7234
9446.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSSOP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
15 V
Id-连续漏极电流
1.27 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
504 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.2 mm
长度
4.4 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
TPS1100
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
2.5 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns
单位重量
39 mg
商品其它信息
优势价格,TPS1100PWR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
分立半导体模块 MOD DIODE 55A 120VAC
1:¥658.2928
10:¥626.9353
25:¥612.7199
50:¥598.4254
参考库存:4109
分立半导体
整流器 3.0 Amp 800 Volt
1:¥4.3844
10:¥2.938
100:¥1.9775
500:¥1.5933
1,400:¥1.1978
2,800:¥1.10627
参考库存:28301
分立半导体
MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET
1:¥10.2152
10:¥8.6784
100:¥6.7009
500:¥5.9212
1,000:¥4.6669
参考库存:8573
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Sml-Signal Schottky Barrier Diode
1:¥3.0736
10:¥2.0001
100:¥0.83733
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.43053
参考库存:46805
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.7685
10:¥1.7854
100:¥0.7458
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.3842
参考库存:44092
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