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分立半导体
2SA1182-Y,LF参考图片

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2SA1182-Y,LF

  • Toshiba
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bias Resistor Built-in transistor
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数量单价合计
1
¥2.7685
2.7685
10
¥1.7854
17.854
100
¥0.7458
74.58
1,000
¥0.50737
507.37
3,000
¥0.3842
1152.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-236MOD-3
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 30 V
集电极—基极电压 VCBO
- 35 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.25 V
最大直流电集电极电流
- 500 mA
增益带宽产品fT
200 MHz
系列
2SA1182
直流电流增益 hFE 最大值
400
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
集电极连续电流
- 500 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
25
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
12 mg
商品其它信息
优势价格，2SA1182-Y,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N4749E3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
5,000:¥4.294
10,000:¥4.2149
参考库存:51019
1N5925CPE3/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥6.3958
8,000:¥6.1472
参考库存:51024
APTGLQ200H65G
Microsemi
分立半导体
IGBT 模块
100:¥1,114.7902
参考库存:51029
BZT03D62-TR
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 62 Volt 600W 10%
25,000:¥1.5368
参考库存:51034
3EZ19D2E3/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥6.102
8,000:¥5.8647
参考库存:51039
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