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分立半导体
DP0150BLP4-7B参考图片

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DP0150BLP4-7B

  • Diodes Incorporated
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
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1
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3.6838
10
¥3.0171
30.171
100
¥1.8419
184.19
1,000
¥1.4238
1423.8
2,500
¥1.2091
3022.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN1006H4-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 50 V
集电极—基极电压 VCBO
- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 300 mV
最大直流电集电极电流
- 200 mA
增益带宽产品fT
80 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DP0150
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 at - 2 mA, - 6 V
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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9,000:¥0.85315
24,000:¥0.78422
45,000:¥0.73789
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750:¥0.62263
2,250:¥0.53788
4,500:¥0.48364
9,750:¥0.43053
24,750:¥0.4068
参考库存:32753
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