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分立半导体
BD438S参考图片

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BD438S

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数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.0002
40.002
100
¥2.4408
244.08
1,000
¥1.8871
1887.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 45 V
集电极—基极电压 VCBO
- 45 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.2 V
最大直流电集电极电流
4 A
增益带宽产品fT
3 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD438
高度
11 mm
长度
8 mm
封装
Bulk
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
- 4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
36 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
761 mg
商品其它信息
优势价格,BD438S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 26 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥37.5725
10:¥31.9677
100:¥27.6624
250:¥26.2838
参考库存:4585
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥3.2996
10:¥2.712
100:¥1.6498
1,000:¥1.2769
3,000:¥1.09158
参考库存:30707
分立半导体
稳压二极管 1000mW Pd SOD-128 PMDTM 27Vz(V) Min
1:¥2.9154
10:¥2.2035
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
参考库存:33259
分立半导体
MOSFET MV7 N Channel Power Trench MosFET
1:¥8.1473
10:¥6.9156
100:¥5.3788
500:¥4.7686
3,000:¥3.2996
9,000:查看
参考库存:18611
分立半导体
MOSFET MOSFET_(20V,40V)
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
5,000:¥2.2939
参考库存:33983
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