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分立半导体
AUIRG4BC30USTRL参考图片

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AUIRG4BC30USTRL

  • Infineon Technologies
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  • IGBT 晶体管 600V AUTO ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT
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库存:6,655(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.6623
25.6623
10
¥21.8203
218.203
100
¥18.9049
1890.49
250
¥17.8992
4474.8
800
¥13.6052
10884.16
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.52 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
23 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
23 A
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001512374
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格,AUIRG4BC30USTRL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3
1:¥3.6838
10:¥2.4295
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.60681
参考库存:109900
分立半导体
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥22.7469
10:¥18.9049
100:¥15.5262
250:¥15.0629
参考库存:8157
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A
1:¥20.905
10:¥17.7523
100:¥14.2154
500:¥12.4526
1,000:¥10.2943
参考库存:3214
分立半导体
MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET
1:¥18.2834
10:¥15.5262
100:¥12.4526
500:¥10.9158
4,800:¥8.1473
参考库存:22746
分立半导体
MOSFET N-Ch 100 Volt 35 Amp
1:¥12.3735
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.3563
1,000:¥6.102
参考库存:15393
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