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分立半导体
STB30NF10T4参考图片

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STB30NF10T4

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 100 Volt 35 Amp
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数量单价合计
1
¥12.3735
12.3735
10
¥10.4525
104.525
100
¥8.3733
837.33
500
¥7.3563
3678.15
1,000
¥6.102
6102
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
38 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
115 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
系列
STB30NF10
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
10 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STB30NF10T4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-CH 650V 0.215Ohm 15A MDmesh M5
1:¥32.5779
10:¥27.6624
100:¥23.9786
250:¥22.7469
3,000:¥16.3624
参考库存:13189
分立半导体
MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
1:¥17.1308
10:¥14.5996
100:¥11.6842
500:¥10.2152
2,500:¥7.8422
5,000:查看
参考库存:10476
分立半导体
MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥7.458
10:¥6.0229
100:¥4.5765
500:¥3.7855
3,000:¥2.7346
6,000:查看
参考库存:389338
分立半导体
MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK ChipFET
1:¥10.3734
10:¥9.1417
100:¥7.2433
500:¥5.6161
1,000:¥4.4296
3,000:¥4.0228
参考库存:13940
分立半导体
整流器 RECTIFIER
1:¥152.1432
5:¥150.6064
10:¥140.3912
25:¥134.0858
100:¥119.8704
参考库存:2897
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