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分立半导体
CSD86311W1723参考图片

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CSD86311W1723

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET Dual N-Channel Nex FET Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥7.0738
70.738
100
¥5.424
542.4
500
¥4.7912
2395.6
3,000
¥3.3561
10068.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DSBGA-12
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
42 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
3.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Dual
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.62 mm
长度
2.32 mm
系列
CSD86311W1723
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.74 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
6.4 S
下降时间
2.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13.2 ns
典型接通延迟时间
5.4 ns
单位重量
4.100 mg
商品其它信息
优势价格，CSD86311W1723的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDTA114GCA-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.2147
24,000:¥0.20001
45,000:¥0.18419
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1PMT4115E3/TR13
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24,000:¥1.2769
48,000:¥1.2204
参考库存:55281
HSM845JE3/TR13
Microsemi
分立半导体
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3,000:¥6.1246
6,000:¥5.8986
9,000:¥5.6726
参考库存:55286
1PMT4134E3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
12,000:¥1.3447
24,000:¥1.2769
48,000:¥1.2204
参考库存:55291
SMAJ4758E3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
7,500:¥3.3335
22,500:¥3.1301
参考库存:55296
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