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分立半导体
TK16N60W,S1VF参考图片

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TK16N60W,S1VF

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
15.8 A
Rds On-漏源导通电阻
160 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
38 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
130 W
配置
Single
商标名
DTMOSIV
高度
20.95 mm
长度
15.94 mm
系列
TK16N60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.02 mm
商标
Toshiba
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
50 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，TK16N60W,S1VF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZX384C62-G3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 62 Volt 0.2W 5%
1:¥2.3052
10:¥1.5481
100:¥0.75258
500:¥0.64523
10,000:¥0.28476
20,000:查看
参考库存:51668
VS-VSKD236/16PBF
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 1600 Volt 230 Amp
1:¥517.5965
5:¥507.37
10:¥486.1712
25:¥470.4868
参考库存:2805
BT169D/01,112
WeEn Semiconductors
分立半导体
SCR Thyristor SCR 400V 9A 3-Pin SPT
1:¥3.0736
10:¥1.9775
100:¥0.85315
1,000:¥0.65314
参考库存:20847
1SV308,L3F
Toshiba
分立半导体
PIN 二极管 Radio-Freq Switch 30V 0.3pF 1.1ohm
1:¥4.0002
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
8,000:¥0.49155
24,000:查看
参考库存:37419
TZX5V6B-TR
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 5.6 Volt 0.5W 5%
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.54579
500:¥0.45313
10,000:¥0.20001
20,000:查看
参考库存:63031
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