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分立半导体
CSD85312Q3E参考图片

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CSD85312Q3E

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET Dual 20V N-CH Pwr MOSFETs
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数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.9212
59.212
100
¥4.5087
450.87
500
¥3.9889
1994.45
2,500
¥2.8024
7006
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
14 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
11.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Dual
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD85312Q3E
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
99 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
32 mg
商品其它信息
优势价格,CSD85312Q3E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
100:¥244.9614
250:¥224.8361
参考库存:45577
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥201.5468
250:¥184.9584
500:¥176.0427
参考库存:45582
分立半导体
稳压二极管
100:¥254.0353
200:¥233.1303
参考库存:45587
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥256.8716
250:¥235.7406
参考库存:45592
分立半导体
SCR模块 650 Amp 2000 Volt 1290 Amp IT(RMS)
12:¥1,130.2373
36:¥1,114.406
参考库存:45597
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