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DN2530N3-G

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数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥4.5991
45.991
25
¥3.8759
96.8975
100
¥3.5595
355.95
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
300 V
Id-连续漏极电流
175 mA
Rds On-漏源导通电阻
12 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
740 mW
配置
Single
通道模式
Depletion
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
正向跨导 - 最小值
300 mS
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格，DN2530N3-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SS13LS RQ
Taiwan Semiconductor
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20,000:¥0.40002
参考库存:51071
SS12LS RQG
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肖特基二极管与整流器 1A, 20V, SCHOTTKY
20,000:¥0.40002
参考库存:51076
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1,000:¥32.883
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15,000:¥0.73789
22,500:¥0.66105
45,000:¥0.59212
97,500:¥0.54579
参考库存:51091
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