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分立半导体
ZTX869参考图片

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ZTX869

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Big Chip SELine
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数量单价合计
1
¥8.9157
8.9157
10
¥7.6388
76.388
100
¥5.876
587.6
500
¥5.1867
2593.35
1,000
¥4.0906
4090.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
25 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
180 mV
最大直流电集电极电流
5 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
ZTX869
直流电流增益 hFE 最大值
300 at 10 mA, 1 V
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
封装
Bulk
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
300 at 10 mA, 1 V, 300 at 1 A, 1 V, 250 at 5 A, 1 V, 40 at 20 A, 1 V
Pd-功率耗散
1.2 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格，ZTX869的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N821AUR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥48.1832
10:¥38.646
25:¥38.0358
100:¥35.2673
参考库存:1644
PB4008-E3/45
Vishay Semiconductors
分立半导体
桥式整流器 40A,800V Enhanced Power Bridge
1:¥25.4363
10:¥21.0519
100:¥17.3681
250:¥16.8257
500:¥15.0629
参考库存:13231
T610T-8T
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 Logic Level 6A TRIAC
1:¥8.0682
10:¥6.8704
100:¥5.2658
500:¥4.6669
参考库存:11068
IGW50N65F5AXKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥47.1775
10:¥42.6462
25:¥40.7252
100:¥35.3464
参考库存:2700
IAUS300N08S5N014ATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET OptiMOS -5 Power-Transistor
1:¥48.5674
10:¥43.957
25:¥41.8778
100:¥36.3408
参考库存:10502
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