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分立半导体
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FDD8876

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数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.7291
57.291
100
¥3.6951
369.51
1,000
¥2.9606
2960.6
2,500
¥2.4973
6243.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
73 A
Rds On-漏源导通电阻
11 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
70 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FDD8876
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Power Trench MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
37 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
91 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
44 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
FDD8876_NL
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N6673
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500:¥160.4374
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