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分立半导体
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IPP048N04N G

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数量单价合计
1
¥10.7576
10.7576
10
¥9.2208
92.208
100
¥7.0851
708.51
500
¥6.2602
3130.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
41 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
79 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
28 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.2 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
IPP048N04NGXKSA1 IPP48N4NGXK SP000648308
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP048N04N G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZD27B15P-HE3-18
Vishay Semiconductors
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50,000:¥0.7684
参考库存:53506
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50:¥1,036.2665
参考库存:53526
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