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分立半导体
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PXAC192908FV-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50
¥1,036.2665
51813.325
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
增益
14 dB
输出功率
240 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275G-6/2
封装
Reel
工作频率
1930 MHz to 1995 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PXAC192908FV-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SD101A-TR
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1mA 60 Volt
1:¥2.9945
10:¥1.9549
100:¥0.9605
500:¥0.82264
10,000:¥0.3616
20,000:查看
参考库存:179477
NTGS3441T1G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET 20V 1A P-Channel
1:¥2.9154
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
参考库存:37489
STTH1003SB-TR
STMicroelectronics
分立半导体
整流器 High Efficiency Rectifier
1:¥7.2207
10:¥6.1133
100:¥4.6895
500:¥4.1471
2,500:¥2.9041
10,000:查看
参考库存:19786
SI7913DN-T1-E3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥12.9046
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥6.9947
1,000:¥5.5257
3,000:¥5.5257
参考库存:10713
CSD18532Q5BT
Texas Instruments
分立半导体
MOSFET 60V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥18.2834
10:¥15.594
100:¥12.4526
250:¥12.4526
500:¥10.8367
参考库存:4130
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