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分立半导体
IGW60N60H3参考图片

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IGW60N60H3

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数量单价合计
1
¥51.7879
51.7879
10
¥46.7933
467.933
25
¥44.5672
1114.18
100
¥38.7251
3872.51
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
416 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW60N60H3FKSA1 IGW6N6H3XK SP000925524
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IGW60N60H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
1:¥2.7685
10:¥1.808
100:¥0.78422
1,000:¥0.5989
3,000:¥0.45313
参考库存:58835
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 12V HG Trans.
1:¥3.1527
10:¥2.6329
100:¥1.6159
1,000:¥1.243
3,000:¥1.05994
参考库存:45182
分立半导体
MOSFET N-Ch 650V TO-220FP-3
1:¥8.0682
10:¥6.9382
100:¥5.3336
500:¥4.7121
1,000:¥3.7177
参考库存:14047
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR DUAL 50V
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:22324
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 GP XSTR NPN 15V
1:¥3.5369
10:¥2.2939
100:¥0.9831
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.5763
参考库存:48111
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