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分立半导体
RGT30NS65DGTL参考图片

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RGT30NS65DGTL

  • ROHM Semiconductor
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  • IGBT 晶体管 650V 15A IGBT Stop Trench
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数量单价合计
1
¥14.1363
14.1363
10
¥12.0684
120.684
100
¥9.605
960.5
500
¥8.4524
4226.2
1,000
¥6.9721
6972.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
133 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGT30NS65D
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
30 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
15 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
RGT30NS65D(LPDS)
单位重量
2 g
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP
1:¥32.5779
10:¥27.6624
100:¥23.9786
250:¥22.7469
500:¥20.4417
参考库存:36273
分立半导体
稳压二极管 1.5 Watt 13 Volt 5%
1:¥4.3053
10:¥3.3335
100:¥2.4747
500:¥2.034
3,200:¥1.4238
6,400:查看
参考库存:25770
分立半导体
双向可控硅 TRIAC
1:¥9.7632
10:¥8.6106
25:¥7.7631
100:¥6.8026
参考库存:25775
分立半导体
桥式整流器 Bridge Rectifier
1:¥4.068
10:¥3.3222
100:¥2.0227
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:25780
分立半导体
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8
1:¥7.8422
10:¥6.6557
100:¥5.1076
500:¥4.52
5,000:¥3.1527
10,000:查看
参考库存:25785
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