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分立半导体
IPP60R165CPXKSA1参考图片

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IPP60R165CPXKSA1

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP
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数量单价合计
1
¥32.5779
32.5779
10
¥27.6624
276.624
100
¥23.9786
2397.86
250
¥22.7469
5686.725
500
¥20.4417
10220.85
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
52 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
192 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPP60R165CP IPP6R165CPXK SP000084279
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP60R165CPXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBZ5266B-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 68 Volt 0.225W 5%
1:¥1.8419
10:¥1.5933
100:¥0.67574
500:¥0.56048
3,000:¥0.31527
6,000:查看
参考库存:34190
TLZ9V1C-GS18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 9.1 Volt 0.5 Watt IR = 0.04uA
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥0.65314
500:¥0.54579
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:34195
TLZ24C-GS18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 24 Volt 0.5 Watt IR = 0.04uA
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥0.65314
500:¥0.54579
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:34200
BZX384C39-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 39 Volt 0.2W 5% AUTO
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66105
500:¥0.56048
10,000:¥0.25312
20,000:查看
参考库存:34205
BZX84B5V1-G3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 5.1Volt 0.35Watt 2%
1:¥2.3052
10:¥1.5481
100:¥0.75258
500:¥0.64523
3,000:¥0.3842
6,000:查看
参考库存:34210
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