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分立半导体
ZTX601BSTZ参考图片

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ZTX601BSTZ

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 达林顿晶体管 NPN Darlington
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数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.6613
56.613
100
¥4.3505
435.05
500
¥3.842
1921
1,000
¥3.0397
3039.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
160 V
发射极 - 基极电压 VEBO
10 V
集电极—基极电压 VCBO
180 V
最大直流电集电极电流
1 A
最大集电极截止电流
0.01 uA
Pd-功率耗散
1 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX601
封装
Bulk
直流电流增益 hFE 最大值
5000
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
5000 at 50 mA at 10 V, 10000 at 500 mA at 10 V, 5000 at 1 A at 10 V
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,ZTX601BSTZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 14 Volt 0.225W 2% AUTO
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.66105
500:¥0.56048
10,000:¥0.25312
20,000:查看
参考库存:38001
分立半导体
稳压二极管 16 Volt 0.5 Watt 2%
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66896
500:¥0.56839
10,000:¥0.25312
20,000:查看
参考库存:59873
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥1.7628
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:38008
分立半导体
稳压二极管 6.2 Volt 0.2W 2%
1:¥2.147
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
10,000:¥0.26894
20,000:查看
参考库存:59880
分立半导体
稳压二极管 4.3 Volt 0.5W 5% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:38015
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