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分立半导体
IKFW50N60DH3EXKSA1参考图片

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IKFW50N60DH3EXKSA1

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数量单价合计
1
¥48.8725
48.8725
10
¥44.183
441.83
25
¥42.1038
1052.595
100
¥36.5781
3657.81
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
PG-TO247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
130 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
零件号别名
IKFW50N60DH3E SP001502656
商品其它信息
优势价格,IKFW50N60DH3EXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 0,5A, 200V, SMF FAST RECOVERY
1:¥3.842
10:¥3.5369
100:¥2.2939
1,000:¥0.7684
1,800:¥0.63732
参考库存:24748
分立半导体
整流器 1A, 800V, GP FAST RECOVERY
1:¥3.616
10:¥3.2996
100:¥2.1357
1,000:¥0.71416
3,000:¥0.59212
参考库存:24753
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20V 500MA 1005 SOD32 3F
1:¥3.0736
10:¥2.0453
100:¥1.2543
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.71416
参考库存:24758
分立半导体
整流器 3A,300V, G.P. HIGH EFFICIENT RECTIFIER
1:¥3.7629
10:¥3.1527
100:¥2.3617
500:¥1.7289
1,250:¥1.2995
2,500:¥1.1978
参考库存:24763
分立半导体
整流器 3A,300V, GP HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
1:¥3.4578
10:¥2.9154
100:¥2.1922
500:¥1.6159
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.11418
参考库存:24768
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