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分立半导体
IPD100N04S4-02参考图片

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IPD100N04S4-02

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数量单价合计
1
¥13.9103
13.9103
10
¥11.8311
118.311
100
¥9.4468
944.68
500
¥8.2942
4147.1
2,500
¥6.3958
15989.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
91 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
23 ns
零件号别名
IPD100N04S402ATMA1 IPD1N4S42XT SP000646184
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD100N04S4-02的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥6.9156
10:¥5.7291
100:¥3.6951
1,000:¥2.9606
2,500:¥2.4973
参考库存:14185
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW-NOISE AMPLIFIER
1:¥3.2318
10:¥2.6329
100:¥1.6046
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.05994
参考库存:40367
分立半导体
稳压二极管 1.0W 18V
1:¥4.3844
10:¥2.7459
100:¥1.4803
500:¥1.1865
7,500:¥0.69156
22,500:查看
参考库存:50919
分立半导体
PIN 二极管 Ls=.7nH SC-79 Single
1:¥5.2997
10:¥4.6782
100:¥3.5934
250:¥2.9154
3,000:¥2.0566
6,000:查看
参考库存:18726
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A 150V
1:¥7.7631
10:¥6.6218
100:¥5.085
500:¥4.4974
1,000:¥3.5482
参考库存:8963
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