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分立半导体
SQJQ100EL-T1_GE3参考图片

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SQJQ100EL-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥21.5943
21.5943
10
¥17.8992
178.992
100
¥14.6787
1467.87
250
¥14.2945
3573.625
500
¥12.8368
6418.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-8x8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
160 A
Rds On-漏源导通电阻
900 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
220 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.9 mm
长度
7.9 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
122 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
60 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
24 ns
商品其它信息
优势价格，SQJQ100EL-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TISP61089ASDR-S
Bourns
分立半导体
SCR Dual P Gate Forward Conducting
1:¥10.5994
10:¥8.5315
100:¥6.5427
500:¥5.7856
2,500:¥4.0454
10,000:查看
参考库存:42734
DMP6050SPS-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥5.0737
10:¥4.1697
100:¥2.6894
1,000:¥2.147
2,500:¥2.147
参考库存:19644
J113
InterFET
分立半导体
JFET N-Ch JFET -35V -3Vds 50mA 360mW 3.27mW
1:¥25.4363
10:¥20.4417
100:¥16.8257
500:¥15.142
参考库存:6481
IPW60R125C6FKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6
1:¥39.0302
10:¥33.1203
100:¥28.7359
250:¥27.2782
参考库存:5543
F1842DH1600
Crydom
分立半导体
分立半导体模块 40A 600VAC MODULE SCR/DIODE
1:¥619.4095
10:¥614.8782
25:¥600.7306
50:¥586.5943
100:¥569.5426
参考库存:42745
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