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分立半导体
IPW60R125C6FKSA1参考图片

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IPW60R125C6FKSA1

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6
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数量单价合计
1
¥39.0302
39.0302
10
¥33.1203
331.203
100
¥28.7359
2873.59
250
¥27.2782
6819.55
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
96 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
219 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
83 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
IPW60R125C6 IPW6R125C6XK SP000641912
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IPW60R125C6FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBTA14LT1G
ON Semiconductor
分立半导体
达林顿晶体管 300mA 30V NPN
1:¥1.6159
10:¥1.4238
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:144378
TZX36B-TR
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 36 Volt 0.5W 5%
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.54579
500:¥0.45313
10,000:¥0.20001
20,000:查看
参考库存:98885
APT39F60J
Microsemi
分立半导体
分立半导体模块 Power FREDFET - MOS8
1:¥226.7571
5:¥216.5306
10:¥209.7732
25:¥192.7893
参考库存:2522
1N4742ATR
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
稳压二极管 12V 1W ZENER 5%
1:¥1.921
10:¥1.2656
100:¥0.52997
1,000:¥0.3616
3,000:¥0.28476
参考库存:137024
MMBTA92LT3G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 300V PNP
1:¥1.5368
10:¥1.3334
100:¥0.47686
1,000:¥0.31527
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:129396
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