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分立半导体
IRFR3710ZTRPBF参考图片

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IRFR3710ZTRPBF

  • Infineon / IR
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  • MOSFET MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg
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数量单价合计
1
¥13.8312
13.8312
10
¥11.752
117.52
100
¥9.379
937.9
500
¥8.2264
4113.2
1,000
¥6.8365
6836.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
56 A
Rds On-漏源导通电阻
18 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Qg-栅极电荷
100 nC
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
39 S
下降时间
42 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
43 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001560638
单位重量
4 g
商品其它信息
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1,000:¥10.8367
2,500:¥10.0683
5,000:¥9.4468
10,000:¥8.9157
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