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分立半导体
ZXMS6003GTA参考图片

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ZXMS6003GTA

  • Diodes Incorporated
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  • MOSFET 60V IntelliFET Over Current Ctrl
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数量单价合计
1
¥11.30
11.3
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.4354
743.54
500
¥6.5766
3288.3
1,000
¥5.1867
5186.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
1.6 A
Rds On-漏源导通电阻
385 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
IntelliFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZXMS6003
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 us
典型接通延迟时间
3 us
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,ZXMS6003GTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP GP Power
1:¥9.605
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10:¥9.2999
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10:¥2.4973
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10:¥1.5029
100:¥0.73789
1,000:¥0.43053
3,000:¥0.32318
参考库存:23935
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1:¥3.1527
10:¥2.1244
100:¥1.4351
500:¥1.1526
2,000:¥0.79891
4,000:查看
参考库存:63792
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