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分立半导体
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STGW80H65DFB

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
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¥54.7824
54.7824
10
¥49.5618
495.618
25
¥47.2566
1181.415
100
¥41.0303
4103.03
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
469 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW80H65DFB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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