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分立半导体
APT25GT120BRDQ2G参考图片

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APT25GT120BRDQ2G

  • Microsemi
  • 最新
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi
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数量单价合计
1
¥71.077
71.077
10
¥63.9354
639.354
25
¥58.2402
1456.005
100
¥52.5563
5255.63
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.2 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
54 A
Pd-功率耗散
347 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
54 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
54 A
栅极—射极漏泄电流
120 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Thunderbolt IGBT
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，APT25GT120BRDQ2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SPP11N80C3XK
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
1:¥20.9728
10:¥17.8314
100:¥14.2154
500:¥12.4526
参考库存:4989
IPB65R110CFDATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 700V 31.2A D2PAK-2 CoolMOS CFD2
1:¥43.6406
10:¥37.1092
100:¥32.1146
250:¥30.51
500:¥27.3573
1,000:¥23.052
参考库存:12466
BUK9K6R8-40EX
Nexperia
分立半导体
MOSFET BUK9K6R8-40E/LFPAK56D/REEL 7
1:¥9.6841
10:¥8.2264
100:¥6.3506
500:¥5.6048
1,000:¥4.4296
1,500:¥4.4296
参考库存:25018
IPD025N06NATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2
1:¥17.7523
10:¥15.0629
100:¥12.0684
500:¥10.5316
2,500:¥8.1473
5,000:查看
参考库存:14010
APT24F50B
Microsemi
分立半导体
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥48.7934
10:¥39.1884
25:¥38.4991
100:¥35.7306
参考库存:7372
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