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分立半导体
SPP11N80C3XK参考图片

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SPP11N80C3XK

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
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库存：4,989(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.9728
20.9728
10
¥17.8314
178.314
100
¥14.2154
1421.54
500
¥12.4526
6226.3
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
390 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
85 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
SP000683158 SPP11N80C3 SPP11N80C3XKSA1
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，SPP11N80C3XK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MJE210G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 5A 25V 15W PNP
1:¥4.0002
10:¥3.277
100:¥2.0001
1,000:¥1.5481
2,500:¥1.3221
参考库存:6345
SS210-E3/52T
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 100 Volt 1.5 Amp 75 Amp IFSM
1:¥3.616
10:¥2.712
100:¥2.0114
500:¥1.6498
750:¥1.2882
参考库存:21687
MBR1060G
ON Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10A 60V
1:¥6.1472
10:¥5.1189
100:¥3.2996
1,000:¥2.6442
参考库存:9389
D2SB60-7000
Shindengen
分立半导体
桥式整流器 VRM=600 IFSM=80
1:¥10.7576
10:¥9.7632
100:¥8.4524
500:¥7.5597
参考库存:5696
S6X8TS1RP
Littelfuse
分立半导体
SCR Sen SCR 600V .8A 5 uA
1:¥5.1528
10:¥3.8081
100:¥2.7459
500:¥2.3956
1,000:¥1.7854
参考库存:8833
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