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分立半导体
BSZ520N15NS3GATMA1参考图片

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BSZ520N15NS3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥10.0683
10.0683
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.6218
662.18
500
¥5.8534
2926.7
5,000
¥4.0906
20453
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
52 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
8.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
57 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
BSZ520N15NS3 BSZ52N15NS3GXT G SP000607022
单位重量
200 mg
商品其它信息
优势价格,BSZ520N15NS3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-723 50V VCC 0.1A IC
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
2,500:¥0.27685
8,000:¥0.23843
参考库存:37272
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN PNP 50V 0.1A 6PIN
1:¥3.2318
10:¥2.3052
100:¥1.07576
1,000:¥0.84524
8,000:¥0.69156
24,000:查看
参考库存:11534
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP+PNP SOT-363 4.7kO Input Resist
1:¥2.6894
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
参考库存:17926
分立半导体
稳压二极管 7.5V 300mW
3,000:¥0.51528
9,000:¥0.45313
24,000:¥0.43053
45,000:¥0.37629
参考库存:24085
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10A,120V,TRENCH SKY RECT.
1:¥6.1472
10:¥4.9381
100:¥3.7403
500:¥3.0962
1,000:¥2.4747
1,500:¥2.2487
参考库存:24283
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