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分立半导体
APT50GLQ65JU2参考图片

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APT50GLQ65JU2

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库存:42,918(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥208.2364
20823.64
250
¥191.1056
47776.4
500
¥184.416
92208
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
技术
-
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
栅极—射极漏泄电流
150 nA
Pd-功率耗散
220 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格,APT50GLQ65JU2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 600 Volt 60 Amp
500:¥70.5346
1,000:¥64.7038
参考库存:54521
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219-HE3
50,000:¥0.99101
参考库存:54526
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SMF AEC-Q101 Qualified
30,000:¥0.7684
参考库存:54531
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥2,955.8088
参考库存:54536
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - Mosfet
100:¥913.8536
参考库存:54541
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