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DMN1019USN-7参考图片

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DMN1019USN-7

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET 12V N-Ch Enh FET 2426pF 27.3nC
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1
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3.2318
10
¥2.4973
24.973
100
¥1.356
135.6
1,000
¥1.01474
1014.74
3,000
¥0.87575
2627.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC59-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
9.3 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
350 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
27.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN1019
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
16.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
57.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22.2 ns
典型接通延迟时间
7.6 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZM4734A L0G
Taiwan Semiconductor
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2,000:¥4.0228
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