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分立半导体
STGP4M65DF2参考图片

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STGP4M65DF2

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 Trench Gate IGBT M Series 650V 4A
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数量单价合计
1
¥8.9157
8.9157
10
¥7.6388
76.388
100
¥5.876
587.6
500
¥5.1867
2593.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
8 A
Pd-功率耗散
68 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP4M65DF2
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
8 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,STGP4M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Rectifier 20V 30A
1:¥3.2318
10:¥2.1018
100:¥1.02943
1,000:¥0.5989
6,000:¥0.3842
24,000:查看
参考库存:164474
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 600mA 160V
1:¥4.1471
10:¥2.3278
100:¥1.2543
500:¥0.99892
2,000:¥0.58421
10,000:查看
参考库存:58096
分立半导体
肖特基二极管与整流器 100mA,30V Sm. Sgnl. Schottky
1:¥3.5369
10:¥1.9436
100:¥0.92999
1,000:¥0.63732
4,000:¥0.48364
参考库存:20418
分立半导体
肖特基二极管与整流器 High Recovery Speed Low VF
1:¥6.1472
10:¥5.5483
100:¥5.0398
500:¥4.3505
参考库存:2595
分立半导体
整流器 1Amp 600Vrrm 600Vr 420Vrms 30A Ifsm
1:¥4.6895
10:¥3.9776
100:¥2.4973
1,000:¥1.8758
3,000:¥1.5933
参考库存:8872
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