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分立半导体
ZXTN19060CGTA参考图片

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ZXTN19060CGTA

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 60V 7A
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数量单价合计
1
¥6.1472
6.1472
10
¥5.1302
51.302
100
¥3.2996
329.96
1,000
¥2.6442
2644.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
160 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
50 mV
最大直流电集电极电流
7 A
增益带宽产品fT
130 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN19060
直流电流增益 hFE 最大值
500 at 100 mA, 2 V
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
7 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
25 at 7 A, 2 V
Pd-功率耗散
5300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格，ZXTN19060CGTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5681
Central Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Ampl/Switch
1:¥34.8831
10:¥31.1993
100:¥28.4308
250:¥25.6623
参考库存:5947
KSH127TF
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
达林顿晶体管 PNP Silicon Darl
1:¥4.3844
10:¥3.6047
100:¥2.3278
1,000:¥1.8645
2,000:¥1.8645
参考库存:33629
FQA160N08
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 80V N-Channel QFET
1:¥46.104
10:¥39.1093
100:¥33.9678
250:¥32.1937
参考库存:6061
APT38N60BC6
Microsemi
分立半导体
MOSFET Power MOSFET - CoolMOS
1:¥58.9408
10:¥53.0196
25:¥48.3301
100:¥43.6406
参考库存:5498
BFR 93AW H6327
Infineon Technologies
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72998
参考库存:91930
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