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分立半导体
CSD75208W1015T参考图片

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CSD75208W1015T

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 20V PCH NexFET Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥4.9946
4.9946
10
¥4.1471
41.471
100
¥2.5199
251.99
250
¥2.5199
629.975
1,000
¥1.9549
1954.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DSBGA-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.6 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms, 285 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
6 V
Qg-栅极电荷
1.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
750 mW (3/4 W)
配置
Dual
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.625 mm
长度
1.5 mm
系列
CSD75208W1015
晶体管类型
2 P-Channel
宽度
1 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
1.700 mg
商品其它信息
优势价格,CSD75208W1015T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
1:¥54.7824
10:¥49.5618
25:¥47.2566
100:¥41.0303
参考库存:9092
分立半导体
稳压二极管 500mW 2.4V
1:¥1.695
10:¥1.13
100:¥0.5537
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:4964
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
500:¥18.2156
参考库存:3311
分立半导体
MOSFET -12V Vds 8V Vgs SC70-6
1:¥4.068
10:¥3.0623
100:¥2.2713
500:¥1.8645
3,000:¥1.3108
6,000:查看
参考库存:12683
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODE: 8A 600V
1:¥30.0467
10:¥25.5832
100:¥22.1254
250:¥20.9728
参考库存:3265
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