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产品分类

分立半导体
IRGIB10B60KD1P参考图片

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IRGIB10B60KD1P

  • Infineon / IR
  • 最新
  • IGBT 晶体管 600V Low-Vceon
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数量单价合计
1
¥23.9786
23.9786
10
¥20.3626
203.626
100
¥17.6732
1767.32
250
¥16.7466
4186.65
500
¥14.9838
7491.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220FP-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
16 A
Pd-功率耗散
44 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
9.02 mm
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001549794
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,IRGIB10B60KD1P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET P-CH -50 V -180 mA
1:¥2.3843
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.35369
参考库存:563212
分立半导体
MOSFET N-CH 250V 0.29Ohm 8A STripFET II
1:¥15.2098
10:¥12.9046
100:¥10.2943
500:¥9.0626
参考库存:16174
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 60V PNP
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.56839
1,000:¥0.3842
8,000:¥0.26103
24,000:查看
参考库存:280286
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Diodes 100V 250mA Single
1:¥2.8476
10:¥1.8871
100:¥0.80682
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:2024758
分立半导体
稳压二极管 150 Volt 0.8 Watt 5%
1:¥3.5369
10:¥2.712
100:¥2.0114
500:¥1.6498
1,000:¥1.2882
3,000:¥1.2882
参考库存:120635
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