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分立半导体
FMB5551参考图片

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FMB5551

  • ON Semiconductor / Fairchild
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
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数量单价合计
1
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2.9945
10
¥2.2374
22.374
100
¥1.2091
120.91
1,000
¥0.91417
914.17
3,000
¥0.78422
2352.66
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SSOT-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
160 V
集电极—基极电压 VCBO
180 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.2 V
最大直流电集电极电流
0.6 A
增益带宽产品fT
300 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FMB5551
直流电流增益 hFE 最大值
250
高度
1 mm
长度
3 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
0.1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
Pd-功率耗散
700 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
FMB5551_NL
单位重量
36 mg
商品其它信息
优势价格,FMB5551的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
参考库存:6893
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3,000:¥0.27685
9,000:¥0.22261
24,000:¥0.20001
45,000:¥0.17628
参考库存:36606
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥289.2235
250:¥264.3296
参考库存:36611
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