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分立半导体
MJB45H11T4G参考图片

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MJB45H11T4G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 80V 50W PNP
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数量单价合计
1
¥9.0626
9.0626
10
¥7.684
76.84
100
¥5.8986
589.86
500
¥5.2206
2610.3
800
¥4.1132
3290.56
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
10 A
增益带宽产品fT
40 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJB45H11
高度
4.83 mm (Max)
长度
10.29 mm (Max)
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
9.65 mm (Max)
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
10 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
Pd-功率耗散
50 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
800
子类别
Transistors
单位重量
1.419 g
商品其它信息
优势价格，MJB45H11T4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
F1857CAD400
Crydom
分立半导体
分立半导体模块 MOD DIODE 55A 120VAC
1:¥658.2928
10:¥626.9353
25:¥612.7199
50:¥598.4254
参考库存:4109
1N5407-E3/54
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 3.0 Amp 800 Volt
1:¥4.3844
10:¥2.938
100:¥1.9775
500:¥1.5933
1,400:¥1.1978
2,800:¥1.10627
参考库存:28301
FQPF2N60C
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET
1:¥10.2152
10:¥8.6784
100:¥6.7009
500:¥5.9212
1,000:¥4.6669
参考库存:8573
1SS393,LF
Toshiba
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Sml-Signal Schottky Barrier Diode
1:¥3.0736
10:¥2.0001
100:¥0.83733
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.43053
参考库存:46805
2SA1182-Y,LF
Toshiba
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.7685
10:¥1.7854
100:¥0.7458
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.3842
参考库存:44092
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