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分立半导体
TK12P60W,RVQ参考图片

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TK12P60W,RVQ

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET DTMOSIV 600V 340mOhm 115A 100W 890pF 25nC
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
11.5 A
Rds On-漏源导通电阻
340 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
商标名
DTMOSIV
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
TK12P60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
5.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
23 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
45 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，TK12P60W,RVQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BTA202X-600E,127
WeEn Semiconductors
分立半导体
双向可控硅 Thyristor TRIAC 600V 15.4A 3-Pin (3+Tab)
5,000:¥1.9775
10,000:¥1.9097
25,000:¥1.8306
50,000:¥1.7967
参考库存:54699
BT137-600G0Q
WeEn Semiconductors
分立半导体
双向可控硅 BT137-600G0/SIL3P/STANDARD MAR
5,000:¥2.0001
10,000:¥1.9323
25,000:¥1.8532
50,000:¥1.8193
参考库存:54704
HFA3135IHZ96
Renesas / Intersil
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 2X PNP MATCHED INDEL
3,000:¥34.1147
参考库存:54709
CD-HD201L
Bourns
分立半导体
桥式整流器 VRRM 100V 2A SMD MBS Bridge Rectifier
1:¥7.3789
10:¥5.7178
100:¥4.4635
500:¥3.7968
5,000:¥2.486
10,000:查看
参考库存:54714
1N5401G-T
Diodes Incorporated
分立半导体
整流器 3.0A 100V
1,200:¥0.82942
2,400:¥0.71416
9,600:¥0.66896
参考库存:54719
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