HFA3135IHZ96详细参数_参考价格_HFA3135IHZ96 PDF资料_Renesas / Intersil

分立半导体

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参数信息

参数	参数值
制造商	Renesas Electronics
产品种类	射频(RF)双极晶体管
RoHS	是
系列	HFA3135
晶体管类型	Bipolar
技术	Si
晶体管极性	PNP
直流集电极/Base Gain hfe Min	15
集电极—发射极最大电压 VCEO	11 V
发射极 - 基极电压 VEBO	4.5 V
集电极连续电流	0.026 A
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
配置	Dual
封装 / 箱体	SOT-23
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	12 V
直流电流增益 hFE 最大值	15 at 10 mA at 2 V, 151 mA at 2 V, 150.1 mA at 2 V, 1510 mA at 5 V, 151 mA at 5 V, 150.1 mA at 5 V
高度	1.15 mm
长度	2.9 mm
工作频率	7000 MHz (Typ)
类型	RF Bipolar Small Signal
宽度	1.6 mm
商标	Renesas / Intersil
增益带宽产品fT	7000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流	0.026 A
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF Bipolar Transistors
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	18 mg

商品其它信息

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