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分立半导体
STD12NF06L-1参考图片

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STD12NF06L-1

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库存:60,021(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.0683
10.0683
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.5879
658.79
500
¥5.8308
2915.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Tube
高度
6.2 mm
长度
6.6 mm
系列
STD12NF06L-1
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
2.4 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
7 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STD12NF06L-1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 80V 32A 100W AEC-Q101 Qualified
1:¥24.8939
10:¥23.7413
100:¥19.1309
500:¥15.0629
3,000:¥11.3678
6,000:查看
参考库存:59051
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219-HE3
1:¥3.4578
10:¥2.5877
100:¥1.921
500:¥1.5707
3,000:¥1.11418
6,000:查看
参考库存:148068
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 15 Watt
1:¥522.6702
10:¥494.4654
25:¥480.4082
50:¥473.3344
参考库存:3665
分立半导体
整流器 Dual 2x15A 600V FRED Pt AEC-Q101
1:¥16.7466
10:¥13.9103
100:¥10.7576
500:¥9.4468
1,000:¥7.8422
2,000:¥7.8422
参考库存:13807
分立半导体
MOSFET Nch 600V 2A TO-252 (DPAK)
1:¥6.9947
10:¥5.9438
100:¥4.5652
500:¥4.0341
2,500:¥2.825
10,000:查看
参考库存:15214
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