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分立半导体
CSD16415Q5参考图片

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CSD16415Q5

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET
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库存：13,124(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.1365
18.1365
10
¥15.4471
154.471
100
¥12.2944
1229.44
500
¥10.7576
5378.8
2,500
¥8.2942
20735.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
21 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.2 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD16415Q5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
168 S
下降时间
12.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
16.6 ns
单位重量
129 mg
商品其它信息
优势价格，CSD16415Q5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC856W,135
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11
1:¥0.92208
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
10,000:¥0.13786
20,000:查看
参考库存:144950
DDZ5V6B-7
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 500MW 5.6V LF
1:¥1.7628
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:41412
TLZ22B-GS08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 22 Volt 0.5 Watt IR = 0.04uA
1:¥1.7628
10:¥1.5368
100:¥0.65314
500:¥0.54579
2,500:¥0.30736
5,000:查看
参考库存:54754
APT8020LLLG
Microsemi
分立半导体
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥312.897
5:¥302.3654
10:¥292.5344
25:¥270.5559
参考库存:54069
BZX384B4V7-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 4.7 Volt 0.2W 2% AUTO
1:¥2.2261
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:47011
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