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分立半导体
TK100L60W,VQ参考图片

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TK100L60W,VQ

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF
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数量单价合计
1
¥275.6974
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5
¥228.9832
1144.916
10
¥227.2204
2272.204
25
¥222.5309
5563.2725
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PL-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
15 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
360 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
797 W
配置
Single
商标名
DTMOSIV
高度
26 mm
长度
20 mm
系列
TK100L60
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Toshiba
下降时间
125 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
130 ns
工厂包装数量
100
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
690 ns
典型接通延迟时间
230 ns
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格，TK100L60W,VQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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