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分立半导体
CSD15571Q2参考图片

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CSD15571Q2

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 20V N-Channel NexFET Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.7685
27.685
100
¥1.6724
167.24
1,000
¥1.2995
1299.5
3,000
¥1.10627
3318.81
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WSON-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
15 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
5.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
系列
CSD15571Q2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
4.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.9 ns
典型接通延迟时间
4.7 ns
单位重量
5.600 mg
商品其它信息
优势价格,CSD15571Q2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 2400 Volt 2100 Amp
1:¥1,555.4676
5:¥1,518.0533
10:¥1,480.4017
25:¥1,459.6549
参考库存:42445
分立半导体
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4,500:¥15.4471
参考库存:42450
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode
1:¥28.4308
10:¥24.2046
100:¥20.9728
250:¥19.8993
参考库存:42455
分立半导体
分立半导体模块 1200 Volt 95 Amp 2094 Amp ITSM
1:¥356.9218
5:¥347.475
10:¥334.028
25:¥308.8968
参考库存:42460
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
1:¥51.1777
10:¥46.2622
25:¥44.1039
100:¥38.2618
参考库存:5038
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