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分立半导体
AUIRF7342QTR参考图片

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AUIRF7342QTR

  • Infineon / IR
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  • MOSFET AUTO -55V 1 N-CH HEXFET 105mOhms
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数量单价合计
1
¥13.2888
13.2888
10
¥11.30
113
100
¥8.9948
899.48
500
¥7.91
3955
4,000
¥5.8873
23549.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
3.4 A
Rds On-漏源导通电阻
105 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
26 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
晶体管类型
2 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
3.3 S
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
43 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
SP001517224
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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6,000:¥10.9158
参考库存:39624
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