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分立半导体
IRFS38N20DTRRP参考图片

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IRFS38N20DTRRP

  • Infineon / IR
  • 最新
  • MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 54mOhms 60nC
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数量单价合计
800
¥10.7576
8606.08
2,400
¥10.2152
24516.48
4,800
¥9.831
47188.8
9,600
¥9.2999
89279.04
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
44 A
Rds On-漏源导通电阻
54 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
60 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
17 S
下降时间
47 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
95 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
SP001565034
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRFS38N20DTRRP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Temperature Compensated
1:¥110.6496
10:¥100.5022
25:¥92.9764
50:¥87.9818
参考库存:2782
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 Switching
1:¥118.1076
10:¥107.35
25:¥99.3496
50:¥93.9708
参考库存:2679
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Rectifier 30V 275A
1:¥9.7632
10:¥8.1473
100:¥6.9269
250:¥6.0794
1,500:¥3.955
4,500:查看
参考库存:15261
分立半导体
IGBT 模块 600V 15A Inverter for Mocion control
1:¥184.8793
5:¥183.0374
10:¥170.5848
25:¥162.9008
参考库存:2423
分立半导体
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 1.9 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-6 package
1:¥14.7578
10:¥12.5204
100:¥9.9892
500:¥8.7575
1,000:¥7.2772
参考库存:5405
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