您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

分立半导体
QPD1017参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

QPD1017

  • Qorvo
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 3.1 - 3.5 GHz, GaN RF IMFET
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:54,694(价格仅供参考)
数量单价合计
18
¥4,072.52
73305.36
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
15.7 dB
晶体管极性
N-Channel
Id-连续漏极电流
20 A
输出功率
460 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
511 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm
配置
Single
工作频率
3.1 GHz to 3.5 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD1017PCB4B01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
18
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,QPD1017的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 20V 2A P-Channel
1:¥3.3787
10:¥2.5651
100:¥1.3899
1,000:¥1.04525
3,000:¥0.89948
参考库存:585755
分立半导体
SCR 15 A SCR
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5427
500:¥5.7856
2,500:¥4.0454
10,000:查看
参考库存:21417
分立半导体
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P PAIR
1:¥4.0002
10:¥3.0623
100:¥2.2713
500:¥1.8645
3,000:¥1.3108
6,000:查看
参考库存:120719
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 100W 50V ISM
1:¥691.0967
5:¥677.7288
10:¥655.287
25:¥627.5568
50:¥618.9462
参考库存:2256
分立半导体
MOSFET 30V Dual N-Ch Enh 22mOhm 10V 6.7A
1:¥3.9211
10:¥3.2657
100:¥1.9888
1,000:¥1.5368
2,500:¥1.3108
参考库存:31623
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号